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反射光谱薄膜测厚仪

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MProbe UVVisSR薄膜测厚仪


参考价格:15-20万

MProbe UVVisSR薄膜测厚仪大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且稳定的被测量。比如:氧化物,氮化物,光刻胶,高分子聚合物,半导体(硅,单晶硅,多晶硅),半导体化合物(AlGaAs, InGaAs,CdTe, CIGS),硬涂层(碳化硅,类金刚石炭),聚合物涂层(聚对二甲苯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚酰胺)

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MProbe UVVisSR薄膜测厚仪



该机大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且稳定的被测量。比如:氧化物,氮化物,光刻胶,高分子聚合物,半导体(硅,单晶硅,多晶硅),半导体化合物(AlGaAs, InGaAs,CdTe, CIGS),硬涂层(碳化硅,类金刚石炭),聚合物涂层(聚对二甲苯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚酰胺)


测量范围: 1 nm -50um    

波长范围: 200 nm -1000 nm

MProbe UVVisSR薄膜测厚仪适用于实时在线测量,多层测量,非均匀涂层, 软件包含大量材料库(超过500材料),新材料可以很容易的添加,支持多重算法:Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA等。

测量指标:薄膜厚度,光学常数

界面友好强大: 一键式测量和分析。

实用的工具:曲线拟合和灵敏度分析,背景和变形校正,连接层和材料,多样品测量,动态测量和产线批量处理。

 MProbe UVVisSR薄膜测厚仪

                      (MProble NIR薄膜测厚仪系统示 )


系统性能参数:

 

精度 <0.01nm or 0.01%
准确度 <0.2% or 1 nm
稳定性 <0.02nm or 0.03%
光斑直径 标准3mm, 可以小至3um
样品大小 大于1 mm


案例1,73nm SiN氮化硅薄膜的测量


MProbe UVVisSR薄膜测厚仪


硅晶圆反射率,测量时间10ms

MProbe UVVisSR薄膜测厚仪


使用Tauc-Lorentz模型,测量SiN薄膜的n和k值

MProbe UVVisSR薄膜测厚仪


技术参数:

测量范围 100nm-200um
精度 <0.01nm or 0.01%
准确度 <0.2% or 1 nm
稳定性 <0.02nm or 0.03%
波长范围 NIR: 900-1700
NIRX: 900-2200
NIRX2:1550-2500nm
光谱仪和检测器 F4光谱仪,256/512/1024像素InGaAs PDA检测器,16位深,TE制冷,高灵敏度,高动态范围,信噪比:大于6000
光谱分辨率 小于4nm(512像素)
光源 5W卤钨灯,色温2800,寿命:10000小时
反射探头 光导光纤(7个纤芯),纤芯400um

可选硬件模块

FLUVNIR 紫外可见近红外聚焦透镜(CaF2/Quartz),工作距离25mm,光斑直径小于80um
FLUV 石英聚焦透镜,工作距离:35mm,光斑直径:小于0.5mm
FDHolder 面向下面样品适配器,用于透明样品
TO 透射率测量模块
TO Switch 2个通道转换器,用于反射率和透射率测量
20W 20W卤钨灯(色温3100,寿命2000小时)
TR 5V TTL外触发模块,1个外部in触发,启动测量,6路out触发
HR 光谱分别率升级到1nm

可选软件模块
MOD 远程控制(TCP),基于Modbus协议
KM 动态测量模块,设定时间间隔,用于在线测量



我们乐意为您进行免费样品测量,欢迎来电咨询。


美国Semiconsoft中国总代理   上海全耀仪器设备有限公司    


全国咨询热线:400-992-5592
 


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